En el caso de la unión PN, tenemos dos partes, tipo p y tipo n, que se obtienen impurezas del aceptor de dopaje y del donante. ¡El tipo p tiene agujeros como portadores de carga principales, lo que no es más que la ausencia de electrones a nivel atómico, supongo! mientras que la parte de tipo n tiene electrones como portadores de carga. Pero incluso hay portadores minoritarios en el tipo p que son electrones y agujeros en el tipo n también.
Estos electrones en el tipo p y los agujeros en Ntype, que son portadores minoritarios, son atraídos por la fuerza de atracción electrostática creando una carga dieléctrica o inmóvil que se instala en ambos lados. Lo que se llama región de agotamiento a menos que aplique una fuerza externa o una diferencia potencial, ya que estará inmóvil. No fluirá corriente. Como el movimiento del portador de carga no es más que corriente. Esto nos proporciona capacitancia en la unión con el dieléctrico de la unión pn inmóvil que tiene electrones y agujeros a cada lado, lo que representa los portadores mayoritarios.
Entonces, creo que a nivel atómico ya que en el área rica en electrones tenemos muy pocos agujeros y el trabajo realizado para tener un intercambio o la diferencia de potencial requerida para atraerlos es mayor. Aquí la variación en la concentración de carga no es más que la diferencia de potencial que no es más que la cantidad de julios que se gastarán para el intercambio. Mientras que la misma diferencia de potencial entre los agujeros del área rica en electrones y los electrones del área de tipo p es menor. Lo que tiende a que el electrón del área de tipo p atraiga los agujeros del área de tipo n en lugar de atraer los agujeros de su propia área de tipo p. La naturaleza siempre tiende o sigue el camino más fácil. Lo mismo se aplica aquí. Esta es solo una vista hipotética. Sin embargo, no estoy 100% seguro.
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