La pregunta no está aclarada. Pero, diría que la rugosidad del sustrato afecta la evolución microestructural de las películas que se van a depositar.
El proceso de CVD implica la nucleación y el crecimiento de películas. La nucleación siempre es favorable para ocurrir en diferentes sitios en la superficie del sustrato, tales como repisas atómicas (sitios de pliegues), partículas de polvo, rasguños en la superficie del sustrato, etc. en los sitios doblados seguidos por el crecimiento. El control óptimo de la nucleación y el crecimiento requiere obleas bien preparadas y son especialmente críticas para el depósito de películas semiconductoras epitaxiales. Los rasguños en la superficie de la oblea también podrían actuar como un concentrador de tensión que eventualmente afecta la calidad de la película que crece. La limpieza inadecuada de las obleas puede conducir a la falta de homogeneidad en las películas depositadas.
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