La única investigación con la que estoy familiarizado específicamente es parte de la investigación en curso en la Universidad de Texas en Austin, bajo el profesor Sanjay Banerjee. Su investigación se centra actualmente en técnicas para cultivar aleaciones epitaxiales de silicio-carbono-germanio en sustratos de silicio. Esta aleación ternaria se puede combinar en celosía con silicio y tiene un intervalo de banda específicamente diseñado y una movilidad específica de electrones u orificios. Dado que el arseniuro de galio ya está casi en celosía con el silicio, pero no se puede cultivar epitaxialmente en silicio por varias otras razones, es posible tener un transistor híbrido con una parte superior de GaAs en un cuerpo de SiGeC. Dado que la movilidad de electrones de GaAs es mucho mayor que la de Si, y la movilidad del agujero de Si es mucho mayor que la de GaAs, tendría sentido crear un sistema cuasi-CMOS con dispositivos de canal n de GaAs y dispositivos de canal p de SiGeC.
Aparte de eso, se han realizado muchas investigaciones sobre los transistores de alta movilidad de electrones, y si de alguna manera podemos hacer transistores de alta movilidad, tiene sentido que pueda haber un sistema CHCMT (transistor complementario de alta movilidad de portadora). Un ex compañero de trabajo cree que el próximo gran movimiento de Intel podría estar relacionado con los HEMT (¿tal vez 10 nm o 7 nm?).
Algunos otros temas interesantes son la memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM o RRAM) (podría clasificarse como tecnología Memristor), la informática óptica y las computadoras cuánticas.
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