Al cambiar la presión durante la CVD, se pueden hacer cambios a las limitaciones del proceso. ¿Qué sucederá cuando cambie de APCVD a LPCVD?

Como Regan señaló, APCVD le dará un proceso de crecimiento más rápido pero de baja uniformidad, y lo contrario para LPCVD. Cuando intentas depositar un material, todo lo que haces es romper / romper el gas precursor para que pueda reaccionar y conducir a una capa sólida. La tasa de crecimiento será proporcional a la tasa de “craqueo”, dada una temperatura / presión alta, entonces la tasa de craqueo será alta, y viceversa. Es por eso que APCVD lidera en términos de tasa de crecimiento, y por qué tenemos que establecer una temperatura de deposición más alta si pretendemos usar LPCVD. Sin embargo, la tasa de crecimiento y la uniformidad también dependen del parámetro llamado difusividad, es decir, “cuán efectivo” el agrietamiento conducirá a una reacción. Según Fransilla (2010), la difusividad será proporcional a [matemática] T [/ matemática] pero también inversamente relacionada con [matemática] P [/ matemática]

[matemáticas] D \ propto T ^ {3/2} / P [/ matemáticas]

Dada su baja [matemática] P [/ matemática] y alta [matemática] T [/ matemática], LPCVD tendrá una mayor difusividad

Google es tu amigo. Google APCVD versus LPCVD, aparece este documento de presentación de Ronald Curley. Él lo explica mejor que yo en este espacio. Te sugiero que lo revises.

http://www.ece.umd.edu/class/ene

Pero fundamentalmente puedo decirle que usar una presión más baja para su deposición química de vapor mejorará la pureza, la homogeneidad de la estructura cristalina y la uniformidad general, pero debe usar temperaturas mucho más altas para lograr los resultados deseados.