No todos los contactos de semiconductores metálicos son óhmicos, algunos tienen un comportamiento rectificador muy parecido a una unión pn. Sin embargo, los contactos entre un metal y un semiconductor muy dopado son siempre óhmicos porque el mecanismo para la conducción del metal al semiconductor en dichos contactos es el túnel mecánico cuántico.
La tunelización es posible porque la región de agotamiento de semiconductores muy dopados es muy, muy estrecha. Una vez que la barrera es lo suficientemente estrecha como para hacer túneles, los electrones pueden hacer túneles con la misma probabilidad de metal a semiconductor que de semiconductor a metal. La unión es simétrica (ya no rectifica) y esencialmente sigue la ley de Ohm. El túnel depende exponencialmente del ancho de esta barrera. La tunelización se convierte en la forma dominante de conducción cuando la barrera es inferior a aproximadamente 10 nanómetros (1E-6 cm), lo que corresponde al dopaje en el rango medio E18.
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