La fotónica de silicio y la optoelectrónica están definitivamente relacionadas, pero se usan de manera diferente, especialmente dentro de los dos campos.
La fotónica de silicio es el uso de silicio y materiales a base de silicio para la óptica de escala de chip. Dado que el Si es un semiconductor de banda prohibida indirecta, es difícil fabricar láseres directamente de silicio. Sin embargo, la tecnología de fabricación madura de la industria CMOS y el bajo costo del silicio lo hacen atractivo para el enrutamiento de chips y la transmisión de señales a corta distancia. Los científicos han demostrado modulación electroóptica infrarroja, mezcla de ondas no lineales y oscilación, así como detección de luz visible en silicio.
Optoelectronics está más enfocado en los semiconductores III-V (InP, GaAs, InGaAs, GaN) que tienden a ser un intervalo de banda directo y, por lo tanto, son eficientes para construir fuentes de luz, ya sean láseres o LED. El Nobel de física de 2014 fue un ejemplo de lo que uno llamaría optoelectrónica. Estos materiales también admiten modulación, mezcla y detección de ondas no lineales, pero no poseen la tecnología madura de fabricación e integración de la que se benefician las tecnologías basadas en silicio.
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La energía solar fotovoltaica es un área donde la fotónica de silicio, así como la optoelectrónica, podrían considerarse como una intersección.
Tengo entendido que la optoelectrónica ha estado aquí por un tiempo, diría que décadas. La fotónica de silicio comenzó como un subcampo de la optoelectrónica, pero debido a la rápida proliferación de la investigación y la consiguiente atención de la industria, se convirtió en un campo distinto por sí solo, en la medida en que los científicos que trabajan en la fotónica de silicio ahora son reacios a decir que están trabajando. en optoelectrónica. Sin embargo, no hay una razón fundamental por la cual la fotónica de silicio no pueda considerarse optoelectrónica.
