La conductividad NO aumenta con la temperatura hasta llegar a temperaturas muy altas (la región intrínseca en la primera imagen). La concentración del portador permanece relativamente constante, pero como se ve en la segunda imagen, los tanques de movilidad a temperatura elevada debido al aumento de las colisiones de electrones con la red. La conductividad de deriva es proporcional al producto de la movilidad y la concentración del portador.
La conductividad por sí sola está lejos del factor más importante en el rendimiento del dispositivo. Hay una razón mucho más seria por la que las altas temperaturas son malas corrientes de fuga aumentadas.
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En un MOSFET, Ids ~ exp (q (Vgs-V_t) / kT)
La corriente de fuga es cuando Vgs = 0.
¡Deje Vt = 0.5 V, ahora cuando la temperatura aumenta de 300 K a 350 K, la corriente de fuga aumenta en un factor de 15! Así es como funcionan las relaciones exponenciales. Una corriente de fuga más alta significa que el chip consume más energía, lo que calienta aún más el chip y aumenta nuevamente la corriente de fuga. Esto se llama desbocamiento térmico, y si no se marca, destruirá el chip. Para limitar esto, limita la potencia máxima suministrada, y dado que ahora una gran parte de eso entra en la corriente de fuga, debe reducir la velocidad del chip.
El efecto de temperaturas más altas es peor en dispositivos bipolares como LED y diodos láser, ya que la velocidad de recombinación no radiativa aumenta con la temperatura y, por lo tanto, más portadores se recombinan de manera no radiativa, dejando menos portadores que se recombinen radiativamente para emitir luz.
Para repetir, el cambio en la conductividad con la temperatura es la menor de sus preocupaciones en la operación a alta temperatura de dispositivos semiconductores.
Las imágenes son del libro de Pierret “Fundamentos del dispositivo semiconductor”.