¡Esta es una muy buena pregunta!
Las 3 son técnicas de deposición de película delgada, pero tienen algunas diferencias entre ellas.
- CVD – Deposición química de vapor. Esta técnica utiliza la fase gaseosa del material / s precursores para depositar películas delgadas (10–100 de manómetros) en cualquier superficie. Los ciclos de transferencia → adsorción → reacción → desorción ocurren casi simultáneamente y continuamente. Hay más de 12 sub-técnicas de deposiciones basadas en CVD. Al usar CVD, puede depositar casi cualquier tipo de material: metales, aislantes y semiconductores.
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Pros: películas delgadas rápidas, relativamente baratas y de alta calidad.
Contras: no muy conforme (cobertura escalonada) y uniforme en grandes áreas. Se puede limitar el espacio vacío en relaciones de aspecto altas (~ por encima de 1: 8)
- ALD – Deposición de la capa atómica. Esta es la técnica de deposición más avanzada: disponible para llenar cualquier estructura de relación de aspecto y tener una conformidad perfecta. La reacción química se divide en pasos de elementos: preparaciones de superficie → absorción → reacción → terminación. Esto permite depositar una capa gruesa de 1 átomo con cada ciclo de deposición completo.
Pros: mejor conformidad disponible y relleno de huecos.
Contras: lento, costoso y no siempre cumple con las demandas de pureza química.
- La epitaxia (homo y hetero) es una deposición de una capa cristalina sobre un sustrato (generalmente cristalino) que coincide exactamente con el substrato. La epitaxia crea capas cristalinas (mono o policristalinas) de compuestos simples o biatómicos.
Pros: solo técnica HVM disponible para capas cristalinas de ultra alta calidad.
Contras: sustrato limitado, lento y costoso. No disponible para muchos materiales.
A continuación se muestra una tabla de comparación entre las técnicas PVD, CVD y ALD.
¡Salud!